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16GB TeamGroup Elite DDR5-5200 DIMM CL 42 Single

Artikelnummer: 9077864 (Hersteller Artnr.: TED516G5200C4201)

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Gesteigerte Grundfrequenz, Schnellere GeschwindigkeitenDie Mindestspezifikationen erreichen eine ultrahohe Frequenz von 4800Mhz, 50 % mehr als die 3200Mhz Standardfrequenz von DDR4-Modulen. Mit...


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EAN: 0765441664005

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Gesteigerte Grundfrequenz, Schnellere GeschwindigkeitenDie Mindestspezifikationen erreichen eine ultrahohe Frequenz von 4800Mhz, 50 % mehr als die 3200Mhz Standardfrequenz von DDR4-Modulen. Mit DDR5 können Sie all Ihre langweiligen, alltäglichen Aufgaben mit Leichtigkeit erledigen.Freigesetzte Kapazität, Stärkeres MultitaskingDas DDR5-Kit ist bereits ab einer Kapazität von 8 GB pro Modul erhältlich und kann in Übereinstimmung mit den JEDEC-Standards auf eine Kapazität von 128 GB erweitert werden, um Ihren Speicher zu entlasten und ein flüssiges Multitasking-Erlebnis zu ermöglichen.Verbesserte strukturelle Zusammenstellung, Höhere EffizienzZu den entscheidenden Faktoren für eine verbesserte Leistung gehören größere Bänke und Burst-Längen. DDR5 ermöglicht bis zu 32 Bänke (Speichereinheiten, die einzeln aktiviert/deaktiviert werden können), die sich aus 8 Bankgruppen zusammensetzen, wodurch sich die Zugriffsmöglichkeiten gegenüber den 16 Bänken der DDR4-Standards verdoppeln; die Burst-Länge von DDR5 (Datenmenge, auf die mit einem einzigen DRAM-Lese-/Schreibbefehl zugegriffen werden kann) ist auch doppelt so groß wie die Burst-Länge von DDR4.Reduzierte Betriebsspannung, Verbesserte Energie-EffizienzDie Standard-Betriebsspannung wurde von 1,2 V bei DDR4-Modulen auf 1,1 V reduziert, wodurch der Energieverbrauch für jede Bandbreite gesenkt wird, um Energie zu sparen und Ihre Belastung zu verringern. Um Störgeräusche zu minimieren, wurde die Energieverwaltung von der Hauptplatine auf den Arbeitsspeicher transferiert und wird durch einen PMIC für ein effektives Systemlastmanagement ergänzt.On-die ECC, Zuverlässige LeistungDDR5-Speichermodule unterstützen On-Die ECCs, eine Funktion zur automatischen Korrektur von DRAM-Zellen, um die Stabilität von DRAM-Systemen mit DDR5 zu bedeuten.


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